中国著名的科学家有：钱学森、钱三强、邓稼先、袁隆平和屠呦呦。李政道 李政道，1926年11月24日生于上海，祖籍江苏苏州，美籍华裔物理学家，中国科学院外籍院士，哥伦比亚大学全校级教授，诺贝尔物理学奖获得者。
中国著名科学家有：钱学森、邓稼先、华罗庚、李四光、袁隆平。钱学森 他是吴越王钱镠的第三十三代世孙。钱学森出生于上海，祖籍在浙江省杭州市临安，毕业于国立交通大学和加州理工学院。他是世界著名的科学家，空气动力学家。
钱三强（1913年10月16日—1992年6月28日），核物理学家。原籍浙江湖州，生于浙江绍兴，中国原子能科学事业的创始人，中国“两弹一星”元勋，中国科学院院士。
中国科学家排名前十名是钱三强、郭永怀、黄旭华、钱学森、袁隆平、顾方舟、孙家栋、南仁东、竺可桢、钟南山。钱三强 钱三强1913年出生于浙江省绍兴市，作为一名核物理学家，他在核物理研究方面贡献突出，在他早些年间从事核研究期间，曾提出过许多著名的理论，并且膝下学子无数，培养了许多莘莘学子。
钱学森：他是中国载人航天的奠基人，他被授予“两弹一星功勋奖章”，被誉为“中国航天之父”和“火箭之父”，是新中国历史上伟大的人民科学家之一。邓稼先：中国最著名科学家排名中“两弹元勋”邓稼先从来都是位居前列。
中国科学家著名人物有周光召、郭永怀、杨振宁、赵忠尧、严济慈。周光召：1929年5月15日生于湖南长沙，科学家、世界公认的赝矢量流部分守恒定理的奠基人之两弹一星功勋奖章获得者。1942年，周光召进入重庆南开中学。1947年，便以优异的成绩转入清华大学物理系。
1、由于有较大的输出功率，故配用电路较简单，零位及性能稳定。在霍尔效应速度传感器中，当测速的靶转到霍尔效应传感器的位置，即霍尔传感器位于靶及磁铁之间，霍尔效应传感器检测到靶感应的磁通量变化。不象可变磁阻传感器（VR），霍尔效应传感器感测的是磁通量的大小，而VR感测的是磁通量的变化率。
2、由于有较大的输出功率，故配用电路较简单，零位及性能稳定。 在霍尔效应速度传感器中，当测速的靶转到霍尔效应传感器的位置，即霍尔传感器位于靶及磁铁之间，霍尔效应传感器检测到靶感应的磁通量变化。
3、磁阻效应（Magnetoresistance Effects）的定义：是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。
4、当导电材料处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受到洛伦兹力的作用发生偏转，在两端积聚电荷并产生霍尔电场。如果霍尔电场和某一速度载流子的的洛伦兹力作用恰好抵消，那么大于或小于该速度的载流子将发生偏转，使得沿外加电场方向运动的载流子数量减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。
5、磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。
6、并在薄膜的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场强度与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，这个现象叫做霍尔效应。在垂直于电流和磁场的方向上，将产生的内建电势差，称为霍尔电压U。
1、电位差计测量电动势实验数据处理tn是电位差计测量干电池电动势的测量结果。取分压箱分压比为500，电压差计量程倍率为k=1，对干电池电动势进行。
2、既然是测电动势，一个电源的电动势是不会变的（在不是很长的时间内），所以可以用各次测量所得的电动势数值求平均作为结果。
3、准备工具和材料：线式电位差计、干电池、导线、开关、电阻箱、滑线电阻器等。将干电池与电位差计的电压输入端相连，将电阻箱与电位差计的电阻输入端相连。打开开关，将滑线电阻器滑动到最左边，然后逐渐向右滑动，观察电位差计的读数变化。
大学物理实验霍尔效应的BX图大致是在中心区域基本上是一条直线，磁感应强度相同。在管口区域磁感应强度急剧下降，一半在管口的磁感应强度只有中心区域的一半左右。具体如图。
一种是表示霍尔效应中测量的电压信号，另一种是表示霍尔电压与磁场强度之间关系的特性曲线。vh是通过在导体中施加磁场时产生的横向电场引起的。当电流通过一片导体时，施加垂直于电流方向的磁场，会引起电子偏转，从而在导体的两侧产生电场差，即霍尔电压。
霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。
求霍尔系数需要一个参数，即电磁铁的输入电流与磁感应强度的对应关系，这个参数一般标在电磁铁上，在实验仪器上找一下应该能找到。大体上就是这样，公式你应该知道。
即正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比等于霍尔系数。若控制电流I为常数，磁感应强度B与被测电流成反比，就可以做成霍尔电流传感器；若固定I为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。
此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a、b、d，磁场垂直ab平面，电流经过ad，电流I = nqv，n为电荷密度。
霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。霍尔效应在应用技术中度特别重要。例如汽车点火系统，设计者将霍尔传感器放在分电器内取代机械断电器，用作点火脉冲发回生器。